metal gate半導體
...極(High-kMetalGate,HKMG)的後閘極(Gate-last)技術為主。相較於前閘極(Gate-first)技術,後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。,2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技...
TW201904063A
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具有金屬閘極之半導體元件之製作方法.本發明係有關於一種具有金屬閘極(metalgate)之半導體元件及其製作方法,尤指一種實施後閘極(gatelast)製程與後閘極介電層(high ...
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